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誓要拿下HBM订单!三星(SAMSUNG)半导体高层访问NVIDIA:展示改良样品

来源:快科技 作者:黑白 2025-02-18 18:28:56 我要评论

2月18日消息,据韩国媒体报道,三星电子半导体部门(DS)负责人全永鉉(Young Hyun Jun)上周亲自前往美国英伟达总部,展示了三

2月18日消息,据韩国媒体报道,三星电子半导体部门(DS)负责人全永鉉(Young Hyun Jun)上周亲自前往美国英伟达总部,展示了三星最新改良的1b DRAM样品。

英伟达曾在2024年要求三星改进1b DRAM的设计,以解决良品率和过热问题,此次全永鉉展示的样品正是基于英伟达的要求而进行的改良成果。

通常情况下,三星DS部门负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见,这也表明此次访问的重要性。

三星原本计划使用1a DRAM(1b DRAM的前代产品)制造8层和12层HBM3E,并跳过1b DRAM直接使用1c DRAM制造HBM4。

然而英伟达坚持要求使用1b DRAM,三星不得不重新调整计划,目前三星的竞争对手SK海力士已经向英伟达供应了12层HBM3E,美光也预计近期开始生产面向AI加速器的HBM。

上个月,三星表示其改良版HBM3E的准备工作进展顺利,并计划于今年第二季度正式量产供货,全永鉉作为DRAM领域的专家,主导了1b DRAM的设计改进工作。

 

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